宇佐美 晶 | 名古屋工大
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概要
関連著者
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宇佐美 晶
名古屋工大
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宇佐美 晶
名古屋工業大学電気情報工学科
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
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牧野 貴紀
名古屋工業大学電気情報工学科
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和田 隆夫
名古屋工業大学電気情報工学科
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和田 隆夫
名古屋工業大学電気情報学科
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佐治 学
名古屋工業大学
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山口 裕史
名古屋工業大学電気情報工学科
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石神 俊一郎
三菱マテリアル中央研究所
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松木 和憲
大日本スクリーン製造
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武内 勉
大日本スクリーン製造
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藤井 義磨郎
浜松ホトニクス
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森口 幸久
名古屋工業大学技術部
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吉田 英朗
名古屋工業大学電気情報工学科
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宇佐 美晶
名古屋工業大学電気情報工学科
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森口 幸久
名古屋工業大学 電気情報工学科
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白井 克典
名古屋工業大学 電気情報工学科
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佐治 学
名古屋工業大学電気情報工学科
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森口 幸久
名古屋工業大学
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中谷 慎一
名古屋工業大学電気情報工学科
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仲井 尊久
名古屋工業大学電気情報工学科
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金子 圭介
松下電器産業(株)戦略半導体開発センター
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宇佐美 晶
三菱マテリアル中央研究所
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和田 隆夫
三菱マテリアル
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古賀 祥泰
名古屋工業大学
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荻野 博康
名古屋工業大学電気情報工学科
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浅倉 英樹
名古屋工業大学電気情報工学科
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森田 悦郎
三菱マテリアルシリコン
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田尻 寛享
名古屋工業大学電気情報工学科
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森田 祥嗣
名古屋工業大学電気情報工学科
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坂元 正義
名古屋工業大学
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坂元 正義
名古屋工大
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奥山 康生
名古屋工業大学電気情報工学科
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金子 圭介
名古屋工業大学電気情報工学科
著作論文
- 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
- 非接触LBIC法による直接貼り合わせウェーハの貼り合わせ界面の評価
- 非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度
- 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
- 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
- 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
- 光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価
- イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
- 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
- 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
- 液相成長Al_xGa_Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
- 9a-M-12 Geのひっかききずの観察(II)
- Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
- 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価