液相成長Al_xGa_<1-x>Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として

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概要

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エピタキシャル成長の評価に関して、LPE成長のメカニズム独特のものが結晶性に影響を及ぼす場合がある。その1つとして、LPE成長によりpn接合を形成する場合、p層とn層の境で成長が中断されるためにできる成長中断界面による影響がある。そこで本研究ではn型Al_xGa_1-x>Sbエピタキシャル層中に成長中断界面を形成し、電気的特性に及ぼす影響を電流-電圧測定、容量DLTS測定結果から考察する。その結果、成長中継を行うと特に逆方向I-V特性に影響を及ぼし、飽和の傾向が弱くなり、熱処理を施すことにより飽和の傾向が回復することが分かった。また、DLTS測定から界面形成によるものと思われるトラップが観測され、これらのトラップは熱処理後のDLTS信号には現れなくなった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-20

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