SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション

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概要

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• SOI基板での不純物拡散分布の測定法と拡散シミュレーションにおける各パラメータの検討を行った。まず、SIMS、SR法、4探針/陽極酸化法の3つの測定法で、不純物分布測定法の比較を行った。その中でSR法について拡がり抵抗値と、接合深さの関係を検討した。次に測定値とTSUPREM4によるシミュレーション結果との比較をすることにより、主要な拡散パラメータの値を以下のように決定した。格子間型拡散機構の割合f_PI=0.85、格子間Siの拡散係数D_I=1.83×10^-4exp(-1.58/kT)、Si-SiO_2界面での格子間Siの再結合速度K_SURF=4.2×10^-6exp(1.75/kT)である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-10-23

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 浅井 寛

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 家木 靖

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 内田 秀雄

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 邵 春林

  名古屋工業大学工学部電気情報工学科

• 浅井 寛

  名古屋工業大学電気情報工学料

• 邵 春林

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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