金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価

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概要

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• シリコン表面に金属を真空蒸着することにより生じるバンドベンディングが金属/シリコン界面の再結合割合に及ぼす影響をレーザ/マイクロ波非接触法を用いて評価した。少数キャリアのライフタイムの測定から、シリコン表面にショットキー障壁を形成しても、シリコン表面での再結合割合に変化がみられなかった。また、n型シリコン表面にオーミック接触を形成した場合、シリコン表面での再結合割合が大きくなるという結果を得た。これは、バンドベンディングが小さく、シリコン表面の無限大の表面再結合速度のためではないかと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-12-08

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 牧野 貴紀

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐 美晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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