非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度
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概要
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貼り合わせSOIウェーハのSOI層のライフタイムについて、非接触LBIC(Laser Beam Induced Current, Conductivity)法による評価を行った。SOI層の厚さが10,30,100μmの3種の試料を用いて、1次モードライフタイムτ_1の比較を行った。その結果、SOI層が厚いものほど、τ_1は大きな値を示した。このことは、SOI層が薄いと、表面再結合速度の影響を受けやすい為である。また、Sとバルクライフタイムτ_bとの分離評価を行った。その結果より、測定した100μmのSOI層には、再結合中心となる欠陥が導入されていることが考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
山口 裕史
名古屋工業大学電気情報工学科
-
宇佐美 晶
名古屋工業大学電気情報工学科
-
和田 隆夫
名古屋工業大学電気情報工学科
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
松木 和憲
大日本スクリーン製造
-
武内 勉
大日本スクリーン製造
-
藤井 義磨郎
浜松ホトニクス
-
宇佐美 晶
名古屋工大
-
和田 隆夫
名古屋工業大学電気情報学科
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