電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱

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概要

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• CdSO_4とNa_2S_2O_3を含み、pH値を約2.5にした溶液から、ネサガラス(In_2O_3)基板上に、電気化学堆積(Electro Chemical Deposition)法によりCdS薄膜を作製した。光源にArイオンレーザー(514.5nm)を用いて、作製した試料のラマン散乱を測定した。この時、305cm^<-1>付近にCdSの縦型光学(LO)フォノンピークが観測された。アニール温度200〜500℃で30分間アニールした場合、アニール温度が高くなるにつれてそのピークの半値幅は減少し、結晶性の向上が観測された。また、300℃と500℃でアニール時間を120分間まで変化させた。どちらの温度の場合も30分間アニールした場合が最も結晶性が良かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-05-19

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 佐治 学

  名古屋工業大学

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 森口 幸久

  名古屋工業大学技術部

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 森口 幸久

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 白井 克典

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 佐治 学

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 森口 幸久

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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