電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
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概要
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Geウェーハーを2枚のSi基板でサンドイッチ状にはさみ, Si (第3層)/Ge(第2層)/Si(第1層)の3層構造を準備した。第3層Si基板に7Mevのエネルギーの電子線を照射した。その結果Si基板の表面にGeSiの合金層が形成された。合金の形成はX線光電子分光法(XPS)およびオージェ電子分光法(AES)によって2枚のSi基板の表面近傍において確認された。
- 大同工業大学の論文
著者
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藤本 博
Daido Institute Of Technology
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藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
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藤本 博
大同工業大学
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和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
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増田 晴穂
名古屋工業技術研究所
-
祖父江 進
デンソー(株)
-
祖父江 進
デンソー株式会社
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