金属・半導体及び絶縁体の超拡散
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概要
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金属,半導体及び余色縁体の超拡散について研究を行った。基板の表面に不純物シートをのせて,不純物シート表面より高エネルギー電子線を照射した。照射により作られたフレンケル欠陥のはじき出し原子は,基板の界面又は表面を拡散する。表面拡散係数は約10^<-5>/secとなり,体積拡散係数の約10^<-15>cm^2/secより大きな拡散係数である。なおこの超拡散は室温で起こっている。この超拡散により,体積拡散係数と表面拡散係数は,D(金属)≧D(半導体)>D(絶縁体)となった。
- 大同工業大学の論文
著者
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藤本 博
Daido Institute Of Technology
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藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
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藤本 博
大同工業大学
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和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
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増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
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楯 信彰
大同工業大学大学院
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増田 晴穂
名古屋工業技術研究所
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祖父江 進
デンソー(株)
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