半導体超拡散(電子ビームドーピング)のコンピュータ映像の近似的モデル

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概要

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• Superdiffusion (electron beam doping (EBD)) in semiconductor) were investigated by simulation. The material surface was covered by an overlayer of impurity sheets and the overlayer surface was irradiated with high-energy electrons. Displaced atoms (single atom) of Frenkel pairs, introduced by irradiation, migrated to the surface or the interface of semiconductors and strongly diffused at the surface with the large surface diffusivity of the order of 10^5cm^2sec^<-1> and also have the volume diffusivity of the order of 10^<-15>cm^2sec^<-1>. A dynamic of superdiffusion for free-atom like atoms in semiconductors was presented by using a compgter eraphic display.

• 大同工業大学の論文

著者

• 藤本 博

  Daido Institute Of Technology

• 藤本 博

  大同工業大学応用電子工学科

• 藤本 博

  大同工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 烏野 壽章

  大同工業大学応用電子工学科

• 長尾 浩道

  大同工業大学

• 烏野 壽章

  大同工業大学 電子情報工学科

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