EBD (電子ビームドーピング)の電子線エネルギーの高効率化に関する考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Electron energy spectra as a function of depth have been comouted by means of a Monte Carlo simulation for Si samples with a diameter of 20 μm irradiated by electron beams at 0.5MeV to 1MeV. The energy spectra of primary displaced atoms were calculated from the electron energy spectra and found to be similar to the electron energy spectra. Values of the average energy transfer at the peak of the spectra at a normalized depth of 0.1(=z/R), where z is depth from the Si surface and R is range of electrons, are about 3, 17, and 27eV for 0.5, 0.75, and 1MeV electron beams, respectively. It was suggested that the displaced atoms with effective average energy transfer were produced, which contributed to the electron beam doping.
- 大同工業大学の論文
著者
関連論文
- 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
- 電子ビームドーピングにおける不純物シートの効果
- キックアウト機構による半導体超拡散の同定
- 電子線照射によるはじき出し原子のモンテカルロシミュレーションと超拡散プロセス
- 超拡散技術のコンピュータ映像ダイナミックスによるアニメーションとそのモデル
- 電子ビームドーピングにおけるはじき出し原子
- 半導体の電子ビームドーピングにおける表面拡散
- 超拡散技術 : GaAsの無欠陥領域へのSi,Zn不純物原子の電子ビームドーピング キックアウト機構によるドーピング
- 超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
- 三層構造におけるGaAsの電子ビームドーピングのメカニズムの研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子と表面欠陥の相互作用に関する研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長に関する考察
- 半導体超拡散(電子ビームドーピング)のコンピュータ映像の近似的モデル
- 半導体の未照射領域へのキックアウト機構による新しい電子ビームドーピング(超拡散)
- MOCVD法によって作製したZnCdS成長層へのリンの電子ビームドーピング
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法 : 2 メカニズム
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
- 非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度
- 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
- EBD (電子ビームドーピング)の電子線エネルギーの高効率化に関する考察
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法(2)メカニズム
- 半導体デバイスの放射線照射効果-1-可変容量ダイオ-ドの電子線照射
- Plastic Scintilltonによる高X線量率測定 : 放射線物理
- 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
- 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
- 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
- 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 電子ビームドーピングにおける表面拡散 (II) Si基板中のGa
- 高エネルギー電子ビームによる相互拡散
- 電子ビーム照射による不純物ドーピング
- ブタンガスによるa-C : H膜の作成
- 液相成長Al_xGa_Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
- RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
- Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
- 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価
- On a Method for Measuring Pulsed X-ray with Low Intensity