電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
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概要
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電子線照射(Electron Beam Doping : EBD)によって生成された自由原子によって形成される高成長について研究を行った。Si基板の上にGeシートをのせ、その上方から高エネルギー電子線(7MeV)でGeシートを部分的に照射した。照射によってはじき出された不純物原子は基板表面に達し、未照射領域まで拡散することを二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry : SIMS)によって測定した。また表面を拡散した原子が高を形成することを原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope : AFM)によって確認し、考察を行った。
- 大同工業大学の論文
著者
-
山田 芳靖
(株)デンソー 基礎研究所
-
藤本 博
Daido Institute Of Technology
-
藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
-
藤本 博
大同工業大学
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
-
増田 晴穂
名古屋工業技術研究所
-
野郎 正道
大同工業大学大学院 学生
-
山田 芳靖
デンソー(株)
-
山田 芳靖
デンソー株式会社
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