電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子と表面欠陥の相互作用に関する研究

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概要

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• A Si wafer was sandwiched between two GaAs substrates, i.e., GaAs(layer3)/Si(layer 2)/GaAs(layer1). The surface of layer 3 was irradiated with 750keV electrons. The Raman spectra at 300K for GaAs samples of layers 1 and 3 were observed. The FWHM(Full Width at Half Maximum value) of the LO phonon mode for the sample of layer1 was obtained. It indicated that the value obtained from the sample before Electron Beam Doping (EBD) was larger than that after EBD. Interstitial Ga and As atoms created by bombardment at the layer 3 migrate to the surface of layer 1 .

• 大同工業大学の論文

著者

• 藤本 博

  Daido Institute Of Technology

• 藤本 博

  大同工業大学応用電子工学科

• 藤本 博

  大同工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 大津 弘一郎

  大同工業大学電気・電子専攻

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