超拡散技術のコンピュータ映像ダイナミックスによるアニメーションとそのモデル
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概要
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Superdiffusion [electron beam doping (EBD)] in semiconductors were investigated by simulation. The material surface was covered by an overlayer surface was irradiated with high-energy electrons. Displaced atom (interstitial atom) of Frenkel pairs, introduced by irradiation, migrated to the surface or the interface of semiconductors and strongly diffused at the surface with the large surface diffusivity of the order of the 10^<-5>cm^2sec^<-1>"1 and also have the volume diffusivity of the order of 10^<-15>cm^2sec^<-1>. A dynamics of superdiffusion for free-atom like atoms in semiconductors was presented by using a computer graphic display. The EBD method for three layer systems were studied for migrations of atoms in metal.
- 大同工業大学の論文
著者
-
藤本 博
Daido Institute Of Technology
-
藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
-
藤本 博
大同工業大学
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
浅田 茂春
大同工業大学工学研究科
-
長尾 浩道
?メイテック
-
烏野 壽章
大同工業大学応用電子工学科
-
烏野 壽章
大同工業大学 電子情報工学科
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