超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
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概要
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In a three-layer structure of Si (layer 3) / Ge (layer 2) / Si (layer 1), in which the Ge wafer was sandwiched between two Si wafers, the surface of layer 3 was irradiated with a pulse electron beam at 7 MeV in a vacuum of about 10^<-5> Pa at 50℃. Evidence of electron-beam epitaxial growth of GeSi alloy on Si by a kick-out mechanism was obtained by cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and a field emission scanning transmission electron microscopy (FESTEM)-energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) observations. Islands of heteroepitaxial Ge_XSi_<1-X> alloy layers were formed on Si by electron beam doping (EBD) (superdiffusion) processes at room temperature.
- 大同工業大学の論文
著者
-
服部 隆志
大同工業大学
-
藤本 博
Daido Institute Of Technology
-
藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
-
藤本 博
大同工業大学
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
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