3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1970-04-01
著者
-
和田 隆夫
名大工
-
武田 道彦
名工試
-
安田 匡一郎
名古屋工業技術研究所
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
-
安田 匡一郎
名工試
-
生田 史朗
名工試
-
増田 晴穂
名工試
-
和田 隆夫
名古屋工大
関連論文
- 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
- 3p-K-2 中間領域における電子対発生断面積の測定
- 11a-A-11 GeのVapor growth
- 11a-A-3 マイクロ波領域の半導体による吸收の低電界効果
- 電子ビームドーピングにおける不純物シートの効果
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- 超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
- 低ヨウ素濃度を使用したGaSbの閉管法気相成長
- ZnTeへの不純物ドーピング : 気相成長
- Ga_xAl_1_-_xSbの液相成長における界面の浸食について
- n型Geの放射線効果 : 格子欠陥
- EBD (電子ビームドーピング)の電子線エネルギーの高効率化に関する考察
- 半導体表面のESR : 半導体 (表面)
- 電子線照射ZnSのESR : 半導体 (下純物)
- ZnSのESR : 半導体, イオン結晶, 光物性
- Heavily doped n-SiのESR : 半導体(不純物伝導)
- 2p-L-1 ZnSのESR
- 13a-K-15 電子線照射ZnSのESR
- 4p-G-9 Siの伝導電子ESR(III)
- Siの伝導電子ESR (II) : 半導体 : 雑
- SiのSurface Resonance (III) : 半導体(レゾナンス)
- Si粉末のsurface resonance・(II) : 半導体 : 結晶成長
- 伝導電子ESRのg-shiftとΔHについて : 半導体 : マイクロ波
- Siのsurface resonance : 半導体 : マイクロ
- 9p-F-1 トンネルダイオードの接合容量の異常特性
- 8p-F-14 マイクロ波ファラデー効果の新しい応用
- 6a-F-2 マイクロ波励起によるダイオードの異常振動
- 半導体デバイスの放射線照射効果-1-可変容量ダイオ-ドの電子線照射
- Plastic Scintilltonによる高X線量率測定 : 放射線物理
- 電子LinacのDigital制御III : 原子核実験
- LinacのPulsed X-rayを利用したRadiography : 応用原子核・放射線
- Linac の出力電支流のエネルギ別パルス波形 : 原子核実験
- Linacにおいて、Microwave Pulse と Injection Pulseの位相関係が出力電子線のエネルギスペクトルに与える影響 : 原子核実験
- 4a-N-5 Linac用特殊アナライザマグネット
- Linacの動作条件と放出電子線のエネルギースペクトル : 原子核実験(加速器)
- 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
- 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
- 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
- イオン注入による固体中微粒子の生成 (新材料技術研究等終了報告)
- 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 電子ビームドーピングにおける表面拡散 (II) Si基板中のGa
- 高エネルギー電子ビームによる相互拡散
- 電子ビームドーピングにおける表面拡散
- 電子ビーム照射による不純物ドーピング
- ブタンガスによるa-C : H膜の作成
- RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
- 半導体の電子ビーム酸化
- ZnTe on GaSb気相成長 : II-VI化合物半導体
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- 半導体のプラズマ効果 : 半導体
- 高周波スパッタによるZnSe薄膜の作成
- Geシ-ト/Si基板及びGe蒸着膜/Si基板の高エネルギ-電子線照射
- 高エネルギ-電子線照射SiC結晶の光学的性質
- On a Method for Measuring Pulsed X-ray with Low Intensity