和田 隆夫 | 名大工
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概要
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和田 隆夫
名大工
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福岡 浩
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名大工
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名大 工
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名大、工、電子
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National Industrial Research Institute of Nagoya
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和田 隆夫
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名工試
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名工試
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和田 隆夫
名古屋工大
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橋本 雅支
名大 工
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梅野 正義
名大 工学部
著作論文
- 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
- 11a-A-11 GeのVapor growth
- 11a-A-3 マイクロ波領域の半導体による吸收の低電界効果
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- n型Geの放射線効果 : 格子欠陥
- 半導体表面のESR : 半導体 (表面)
- 電子線照射ZnSのESR : 半導体 (下純物)
- ZnSのESR : 半導体, イオン結晶, 光物性
- Heavily doped n-SiのESR : 半導体(不純物伝導)
- 2p-L-1 ZnSのESR
- 13a-K-15 電子線照射ZnSのESR
- 4p-G-9 Siの伝導電子ESR(III)
- Siの伝導電子ESR (II) : 半導体 : 雑
- SiのSurface Resonance (III) : 半導体(レゾナンス)
- Si粉末のsurface resonance・(II) : 半導体 : 結晶成長
- 伝導電子ESRのg-shiftとΔHについて : 半導体 : マイクロ波
- Siのsurface resonance : 半導体 : マイクロ
- 9p-F-1 トンネルダイオードの接合容量の異常特性
- 8p-F-14 マイクロ波ファラデー効果の新しい応用
- 6a-F-2 マイクロ波励起によるダイオードの異常振動
- 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- 半導体のプラズマ効果 : 半導体