福岡 浩 | 名大工

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著作論文

• 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
• 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
• 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
• 劣化したGeトンネルダイオードの特性(II) : 電子線照射効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)

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