安田 匡一郎 | 名古屋工業技術研究所

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概要

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• 名古屋工業技術研究所の論文著者

関連著者

• 安田 匡一郎

  名古屋工業技術研究所

• 増田 晴穂

  National Industrial Research Institute of Nagoya

• 増田 晴穂

  名古屋工業技術研究所

• 武田 道彦

  名古屋工業技術試験所

• 武田 道彦

  名工試

• 安田 匡一郎

  名工試

• 増田 晴穂

  名工試

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 生田 史朗

  名工試

• 和田 隆夫

  名古屋工大

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報学科

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 豊田 大介

  大同工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 種村 誠太

  名古屋工業技術研究所

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 増田 晴穂

  名古屋工業技術試験所

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 和田 隆夫

  名大工

• 藤本 博

  Daido Institute Of Technology

• 藤本 博

  大同工業大学応用電子工学科

• 藤本 博

  大同工業大学

• 井口 智明

  大同工業大学大学院

• 金持 徹

  神戸大学工学部

• 和田 隆夫

  三重大工

• 生田 史郎

  名工試

• 和田 隆夫

  三重大.工

• 于 志戦

  蘭州物理所

• 山田 寿一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 上西 時司

  名古屋工業技術試験所

• 生田 史朗

  名古屋工業技術試験所

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著作論文

• 電子ビームドーピングにおける不純物シートの効果
• EBD (電子ビームドーピング)の電子線エネルギーの高効率化に関する考察
• 半導体デバイスの放射線照射効果-1-可変容量ダイオ-ドの電子線照射
• Plastic Scintilltonによる高X線量率測定 : 放射線物理
• 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
• 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
• 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
• 電子ビームドーピングにおける表面拡散 (II) Si基板中のGa
• 高エネルギー電子ビームによる相互拡散
• 電子ビーム照射による不純物ドーピング
• ブタンガスによるa-C : H膜の作成
• RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
• On a Method for Measuring Pulsed X-ray with Low Intensity

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