和田 隆夫 | 名古屋工大

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概要

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• 名古屋工大の論文著者

関連著者

• 和田 隆夫

  名古屋工大

• 筧 昌浩

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University

• 筧 昌浩

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• 北村 登

  Department Of Electrical Engineering Suzuka College Of Technology

• 武田 道彦

  名工試

• 安田 匡一郎

  名古屋工業技術研究所

• 増田 晴穂

  National Industrial Research Institute of Nagoya

• 安田 匡一郎

  名工試

• 増田 晴穂

  名工試

• 和田 隆夫

  Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Mie University

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 和田 隆夫

  三重大工

• 和田 隆夫

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• 生田 史朗

  名工試

• 武田 道彦

  名古屋工業技術試験所

• 于 志戦

  名古屋工業大学電気情報学科

• 和田 隆夫

  名大工

• 北村 登

  鈴鹿工業高等専門学校電気工学科

• 北村 登

  鈴鹿高専

• 和田 隆夫

  三重大・工

• 岡野 清

  New Nippon Electric Co. Ltd.

• 関 章憲

  三重大工

• 筧 昌浩

  三重大工

• 北村 登

  Suzuka College of Technology

• 生田 史郎

  名工試

• 和田 隆夫

  三重大.工

• 筧 昌浩

  三重大・工

• 北村 登

  鈴鹿工業高等専門学校

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報学科

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著作論文

• 低ヨウ素濃度を使用したGaSbの閉管法気相成長
• ZnTeへの不純物ドーピング : 気相成長
• Ga_xAl_1_-_xSbの液相成長における界面の浸食について
• 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
• 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
• 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
• 電子ビームドーピングにおける表面拡散
• 半導体の電子ビーム酸化
• ZnTe on GaSb気相成長 : II-VI化合物半導体

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