和田 隆夫 | 三重大・工
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概要
関連著者
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和田 隆夫
三重大・工
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沢 和弘
三重大・工
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遠藤 民生
三重大学工学部
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遠藤 民生
三重大・工
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和田 隆夫
三重大学工学部
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中西 善重
三重大・工
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沢 和弘
三重大学工学部
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遠藤 民生
三重大工学部
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和田 隆夫
三重大工
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中西 善重
三重大学工学部
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久野 勝美
三重大・工
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橋本 雄二
三重大・工
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筧 昌浩
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
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内田 英次
三重大・工
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沖野 祥
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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筧 昌浩
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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沖野 祥
三重大・工
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広崎 有史
三重大・工
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和田 隆夫
名古屋工大
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筧 昌浩
三重大・工
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沢和 弘
三重大・工
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遠藤 民生
三重大学 工学部
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中西 善重
三重大学 工学部
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和田 隆夫
三重大学 工学部
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沢 和弘
三重大工
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佐々木 進一
三重大工
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寛菖 浩
三重大・工
著作論文
- 3p-KG-11 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(I)
- 3p-KG-12 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(II)
- 11p-E-7 N型GaPのX_1,X_3バンドの温度変化と照射欠陥の効果
- ZnTe on GaSb気相成長 : II-VI化合物半導体
- 14a-L-9 GaPにおける電子ビーム(MeV)照射損傷の空間濃度分布(I) : 光学的性質と欠陥濃度
- 3a-NL-11 GaP結晶のバンド端に及ぼす照射欠陥の効果
- 3a-B-14 電子線照射GaPの光学的性質(II)
- 3a-B-13 電子線照射GaPの光学的性質(I)
- 28a-N-13 照射欠陥を導入したN-GaPにおけるX_1バンド及びX_3バンドの温度変化
- 2p-F-6 GaP結晶の照射欠陥に基づくバンドテイル
- 1a-T-12 GaP結晶における電子ビーム照射欠陥の空間分布(I)
- 14a-L-10 GaPにおける電子ビーム(MeV)照射損傷の空間濃度分布(II) : 二次元光学濃度および損傷濃度分布
- ZnTeの気相成長について