遠藤 民生 | 三重大・工

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• 和田 隆夫

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  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

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著作論文

• 3p-KG-11 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(I)
• 3p-KG-12 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(II)
• 14a-L-9 GaPにおける電子ビーム(MeV)照射損傷の空間濃度分布(I) : 光学的性質と欠陥濃度
• 14a-L-10 GaPにおける電子ビーム(MeV)照射損傷の空間濃度分布(II) : 二次元光学濃度および損傷濃度分布
• 2p-D1-3 GaPにおけるX_1バンドの底に及ぼす照射損傷の効果(2p D1 半導体(深い不純物・ダイカルコゲナイド・インターカレーション),半導体)

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