沢 和弘 | 三重大・工

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著作論文

• 3p-KG-11 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(I)
• 3p-KG-12 照射によって深い準位を導入したGaPの伝導帯およびドナー電子による光吸収と電子統計(II)
• 11p-E-7 N型GaPのX_1,X_3バンドの温度変化と照射欠陥の効果
• 14a-L-9 GaPにおける電子ビーム(MeV)照射損傷の空間濃度分布(I) : 光学的性質と欠陥濃度
• 3a-NL-11 GaP結晶のバンド端に及ぼす照射欠陥の効果
• 28a-N-13 照射欠陥を導入したN-GaPにおけるX_1バンド及びX_3バンドの温度変化
• 2p-F-6 GaP結晶の照射欠陥に基づくバンドテイル

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