23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
-
武田 道彦
名工試
-
安田 匡一郎
名古屋工業技術研究所
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
-
安田 匡一郎
名工試
-
増田 晴穂
名工試
-
生田 史郎
名工試
-
和田 隆夫
三重大.工
-
和田 隆夫
名古屋工大
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