増田 晴穂 | 名工試
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概要
関連著者
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武田 道彦
名工試
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名古屋工業技術研究所
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増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
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著作論文
- Plastic Scintilltonによる高X線量率測定 : 放射線物理
- 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
- 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
- 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布