増田 晴穂 | National Industrial Research Institute of Nagoya
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概要
関連著者
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増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
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安田 匡一郎
名古屋工業技術研究所
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藤本 博
Daido Institute Of Technology
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藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
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藤本 博
大同工業大学
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和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
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増田 晴穂
名古屋工業技術研究所
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武田 道彦
名工試
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安田 匡一郎
名工試
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増田 晴穂
名工試
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生田 史朗
名工試
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和田 隆夫
名古屋工大
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山田 芳靖
(株)デンソー 基礎研究所
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祖父江 進
デンソー(株)
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山田 芳靖
デンソー株式会社
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和田 隆夫
名大工
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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服部 隆志
大同工業大学
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池山 雅美
名古屋工業技術試験所
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中尾 節男
産業技術総合研究所中部センター基礎素材研究部門
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楯 信彰
大同工業大学大学院
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野郎 正道
大同工業大学大学院 学生
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山田 芳靖
デンソー(株)
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野田 尚伸
大同工業大学大学院学生
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水澤 健一
旧新ハイボルテージ株式会社
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和田 隆夫
三重大工
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中尾 節男
(独)産業技術総合研究所サステナブルマテリアル研究部門
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池山 雅美
(独)産業技術総合研究所サステナブルマテリアル研究部門
-
生田 史郎
名工試
-
和田 隆夫
三重大.工
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祖父江 進
デンソー株式会社
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武田 道彦
名古屋工業技術試験所
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
著作論文
- 超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
- 半導体デバイスの放射線照射効果-1-可変容量ダイオ-ドの電子線照射
- Plastic Scintilltonによる高X線量率測定 : 放射線物理
- 23p-L-1 半導体の照射損傷における欠陥レベルと欠陥生成率の決定法
- 5a-G-11 P型Siの電子線照射損傷
- 3a-TA-2 Si中の電子線照射による欠陥の分布
- イオン注入による固体中微粒子の生成 (新材料技術研究等終了報告)
- 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
- 高周波スパッタによるZnSe薄膜の作成
- Geシ-ト/Si基板及びGe蒸着膜/Si基板の高エネルギ-電子線照射
- 高エネルギ-電子線照射SiC結晶の光学的性質