半導体の未照射領域へのキックアウト機構による新しい電子ビームドーピング(超拡散)
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概要
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It is demonstrated that the interchange of impurity foreign atoms between substitutional and interstitial sites occurring during the diffusion of impurities in damage-free Si and GaAs due to the electron beam doping by superdiffusion is controlled by the kick-out mechanism. The impurity doping can be interpreted by the kick-out mechanism, which is combination of interstitialcy and direct interstitial diffusion.
- 大同工業大学の論文
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