MOCVD法によって作製したZnCdS成長層へのリンの電子ビームドーピング
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概要
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Electron beam doping (EBD) of phosphorus (P) atoms into epilayer of ZnCdS system grown on a GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method was investigated. The surface of ZnCdS epilayer was covered by an overlayer of phosphorousnitride (PN) (99.99%, t〜0.87 mm). The overlayer surface was irradiated with high-energy electrons. The concentration profiles of P atom in the epilayer was measured by using secondary-ion-mass spectrometry (SIMS) and showed exponential decay curves. Their exponential decay ranges from the surface of the epilayer to the depth direction are about 0.6 μm.
- 大同工業大学の論文
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