電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長に関する考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Island growth of free atoms produced by electron irradiation was investigated. An overlayer of Ge sheet was placed on a Si substrate, and the overlayer was irradiated partially by an electron beam of 7MeV. It was observed by secondary ion mass spectrometry (SIMS) that displaced atom in the impurity sheet migrated to the surface and diffused to the unirradiated region. Production of islands with free atoms diffused at the interface was also observed by the atomic force microscope (AFM). The island growth was studied based on these results.
- 大同工業大学の論文
著者
-
藤本 博
Daido Institute Of Technology
-
藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
-
藤本 博
大同工業大学
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
浅見 護
大同工業大学工学研究科
関連論文
- 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
- 電子ビームドーピングにおける不純物シートの効果
- 電子ビ-ムド-ピングにおける不純物シ-トの効果
- II族ソース流量を変化させて作製したZn-Cd-Se系三元化合物薄膜の成長 : 気相成長III
- GaAs上に成長させたZn-Cd-Te系三元化合物における組成変化層の形成 : エピタキシーII
- 半導体デバイスの超拡散技術による新しいプロセス
- キックアウト機構による半導体超拡散の同定
- 電子線照射によるはじき出し原子のモンテカルロシミュレーションと超拡散プロセス
- 超拡散技術のコンピュータ映像ダイナミックスによるアニメーションとそのモデル
- 電子ビームドーピングにおけるはじき出し原子
- 半導体の電子ビームドーピングにおける表面拡散
- 超拡散技術 : GaAsの無欠陥領域へのSi,Zn不純物原子の電子ビームドーピング キックアウト機構によるドーピング
- 超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
- 三層構造におけるGaAsの電子ビームドーピングのメカニズムの研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子と表面欠陥の相互作用に関する研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長に関する考察
- 半導体超拡散(電子ビームドーピング)のコンピュータ映像の近似的モデル
- 半導体の未照射領域へのキックアウト機構による新しい電子ビームドーピング(超拡散)
- MOCVD法によって作製したZnCdS成長層へのリンの電子ビームドーピング
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法 : 2 メカニズム
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
- 非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度
- 溶融物質内の溶質原子の拡散係数と固化における分布係数決定の一方法
- 溶融物質内の溶質原子の拡散係数と固化における分布係数決定の一方法
- 融液から成長した亜鉛結晶内の不純物セル組織(II)
- 融液から成長した亜鉛結晶内の不純物セル組織-2-
- 融液から成長した亜鉛結晶中の不純物セル組織
- 融液から成長した亜鉛結晶中の不純物セル組織
- 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
- EBD (電子ビームドーピング)の電子線エネルギーの高効率化に関する考察
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法(2)メカニズム
- (23)工学実験のコンピュータ援用教育(第7セッション コンピュータ援用教育(実験・実習))
- パソコンを利用した大学工学実験の理解度の評価
- (4) 光ディスクを用いたCAIによる学生実験の試み(第2セッション 教育システム(実験-II))
- 3.マイコンとVTRを用いた学生実験指導システム(第3セッション)
- イオンプレーティング法によるTiN薄膜 : 無機材料
- 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 電子ビ-ムド-ピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 液相成長Al_xGa_Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
- Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
- 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法(1)実験
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビ-ムド-ピング(超拡散)による自由原子の島成長