超拡散技術 : GaAsの無欠陥領域へのSi,Zn不純物原子の電子ビームドーピング キックアウト機構によるドーピング
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概要
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Si and Zn atoms were doped into the damage-free regions of GaAs wafers by the 750keV electron beam doping method at room temperature. The effects of contact surface and deposited interface for three-layer structures were investigated. In the cases of Si and Za, GaAs (layer 3)//Si//GaAs (layer 1[system I] and GaAs (layer 3)/Zn//Zn/ GaAs (layer 1) [system II], in which the//marks indicate contact between wafers only and GaAs/Zn, Zn evaporated layers on GaAs wafers were used, respectively. In both cases, Si and Zn doped GaAs, respectively, were observed by measurements via a secondary ion mass spectrometer (SIMS) and 4.2K photoluminescence (PL) spectroscope.
- 大同工業大学の論文
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