半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法 : 2 メカニズム
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概要
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熱処理前の電子線の非照射領域での室温における電子ビームドーピングプロセスについての研究を行った。第3層/第2層/第1層からなる3層構造において,不純物シート(第2層)は2枚の半導体ウェーハではさんでサンドウィッチ状にした。そして第3層の表面を750keVと7MeVの電子線で照射した。電子線照射中,表面層では,半導体ウェーハの構成原子濃度とほぼ同じ程度の高不純物濃度が観測された。それらの不純物原子は大きな表面拡散係数で表面を移動し,多くの自己格子間原子を生成する。そして半導体ウェーハと不純物シートの界面において,キックアウトメカニズムが起こり,半導体内部への不純物拡散が増造される。
- 大同工業大学の論文
著者
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豊田 大介
大同工業大学
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藤本 博
Daido Institute Of Technology
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藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
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藤本 博
大同工業大学
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和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
豊田 大介
大同大学大学院
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