OE2 2重回転YカットLa_3Ga_5SiO_<14>基板のNSPUDT方位(SAWデバイス,口頭発表)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
弾性波を用いたヒューマンインタフェース
-
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
レーザ超音波マイクロマニピュレータ(放射圧と音響流,非線形音響の新展開論文)
-
PA-8 レーザ・超音波マイクロマニピュレータ(LUMM)
-
A-11-4 レーザ超音波マイクロマニピュレータの基礎的検討
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
-
100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
-
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
-
100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
レーザ超音波マイクロマニピュレータの開発
-
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
-
弾性表面波と漏れ弾性波の研究に携わって(アコースティックイメージング,一般)
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
-
MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
-
MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
-
AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
-
MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
-
AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
-
MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
-
OE5 広帯域SPUDT構成法(SAWデバイス,口頭発表)
-
SAWモード結合方程式の直接数値解析
-
SAWモード結合方程式の直接数値解析
-
ランガサイト基板におけるSAW導波路の解析
-
SAWモード結合方程式の直接数値解析
-
ランガサイト基板のSAW導波路の解析
-
OE6 ランガサイト基板のNSPUDTカット(SAWデバイス)
-
ランガサイト基盤のNSPUDTの特性
-
浮き電極型一方向性変換器を用いたIF用SAWフィルタ
-
P1-21 圧電発電によるRFIDタグの電源供給とその応用(ポスター発表)
-
P1-22 圧電発電とRFIDタグを用いた会議室利用情報システム(ポスターセッション1(概要講演))
-
A-11-5 圧電素子とRFIDタグを用いた会議室利用情報システム(A-11. 超音波, 基礎・境界)
-
P1-C-31 タッチパネルにおける指の接触による超音波減衰(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
-
P3-49 超音波タッチパネル用多層構造ラブ波導波路の解析(ポスターセッション3,ポスター発表)
-
超音波マイクロマニピュレーション (微小物体のマニピュレーション技術)
-
P3-41 超音波タッチパネル用グレーティングトランスジューサ(ポスターセッション3,ポスター発表)
-
QF04 ランガテイト(La_3Ga_Ta_O_)基板のNSPUDT方位(ポスターセッションII)
-
ランガナイト(La_3Ga_Nb_O_)基板のNSPUDT方位 (最近の超音波応用デバイス論文特集)
-
A-11-23 ランガナイト (La_3Ga_Nb_O_) 基板のNSPUDT方位
-
OE2 2重回転YカットLa_3Ga_5SiO_基板のNSPUDT方位(SAWデバイス,口頭発表)
-
ランガサイト基板のSAW反射特性
-
水中音響圧電変換器:(2)圧電変換器の理論
-
Li_2B_4O_7 NSPUDT基板上の方向性反転電極トランスジューサの特性
-
微小物体の超音波マイクロマニピュレーション
-
ランガサイト基板のSAWモード結合パラメータ
-
高効率くさび形弾性表面波トランスジューサの特性解析
-
音で微小粒子を操る : 超音波マイクロマニピュレーション
-
OF6 Li_2B_4O_7基板のNSPUDTカットを用いた低損失SAWフィルタ(SAWデバイス)
-
Li_2B_4O_7 NSPUDT基板上の電極幅差形方向性反転電極トランスジューサの特性
-
NSPUDT基板上のグループ型方向性反転電極構成法
-
微小物体の超音波マイクロマニピュレーション(力としての超音波)
-
MSCを用いた超音波マイクロマニピュレーション用漏洩波トランスジューサ
-
OG1 ビジュアルフィードバックを用いた超音波マイクロマニピュレータ(強力超音波)
-
ビジュアルフィードバックを用いた超音波マイクロマニピュレータ
-
動画像処理を用いた超音波マイクロマニピュレータ
-
NSPUDT基板の方向性反転電極構成法
-
微小物体の超音波マイクロマニピュレーション
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク