ランガナイト(La_3Ga_<5.5>Nb_<0.5>O_<14>)基板のNSPUDT方位 (最近の超音波応用デバイス論文特集)
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概要
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SAWデバイス用基板として,ランガサイト(LGS:La_3Ga_5SiO_<14>)単結晶が注目され,伝搬特性などの解析が活発に行われているが,LGSの置換型結晶の一つであるランガナイト(LGN:La_3Ga_<5.5>Nb_<0.5>O_<14>)単結晶についてはほとんど検討されていない.最近,井上らはLGNの伝搬特性を理論と実験の両面がら詳細に検討し,オイラー角表示で(110°,145°,145°)近傍の基板方位が零温度係数と大きなK^2を有することを報告している.本論文では,LGNについて基板の異方性と電極反射によって,一方向性変換器動作の得られるNSPUDT(Natural Single Phase Unidirectional Transducer)基板方位を理論的に探索した結果,(110°,145°,145°)基板が優れたNSPUDT基板であることを見出した.また,実験的にその存在を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-25
著者
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