X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector(SDD)は,X線で発生した電子を効率よく収集するため,受光面の反対面にMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を形成し,素子内部に電界形成している.しかし,素子構造の簡素化による低価格化を目指し,MOSFETを含まない構造を検討した.さらに,有害元素(Cd等)の蛍光X線を検出できるように,Si基板の高抵抗率化・厚膜化を目指した構造を提案し,その可能性に関して実験より検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-28
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
高橋 美雪
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
小原 一徳
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
山本 和代
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
前田 健寿
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
加川 義隆
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
関連論文
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化(半導体材料・デバイス)
- リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価
- 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
- 光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶Si太陽電池用ウエハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存
- 電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案
- 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
- 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)