X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,その場で検査のできる可搬型蛍光X線検出器が望まれている.しかし,これまでのX線検出素子の動作には液体窒素温度が必要であり,蛍光X線検出装置が大型化する.現在は,室温付近(ペルチエ冷却)で動作するX線検出素子として,Si基板を用いたSilicon Drift Detector (SDD)が市販されているが,構造が複雑なため,歩留まりが悪く,高価である.これまでに提案・開発してきた,簡素化された3本p-Ring構造の素子の問題点の解決を行った.次にCdからの蛍光X線が検出できる素子開発のために,今回提案する1本p-Ring構造のSi基板の高抵抗率化と厚膜化の検討をデバイスシミュレーションを用いて行った.
- 2009-11-27
著者
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
北野谷 征吾
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
三宅 貴之
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
谷口 征大
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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