放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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当研究室で提案している放電電流過渡分光法(DCTS:Discharge Current Transient Spectroscopy)を用いて高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価を行ってきた.しかし,半導体内部以外(特に,表面)を定常的に流れる電流が解析に影響していると考えられるため,表面を犠牲酸化処理し,表面電流の低減を試みた.その結果,逆方向電圧100Vでの漏れ電流は約40%低減できた.このダイオードを用いて,313Kから428Kまでを5K間隔で過渡逆方向電流を測定し,DCTS法で解析した結果,6種類の欠陥が検出でき,それぞれの活性化エネルギーと捕獲断面積を求めることができた.
- 2011-12-09
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
西川 誠二
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
西川 誠二
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
岡田 亮太
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
-
岡田 亮太
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
岡田 亮太
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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