RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長

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概要

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• We have grown InN films on 3C-SiC (001) substrates with and without cubic GaN underlayers by RF-MBE. It was found that, in the case of direct growth on 3C-SiC (001), hexagonal InN grows with the crystal orientation as hexagonal InN　[1-100]//3C-SiC [110], while, in the case of the growth on cubic GaN underlayers, cubic InN grows with the crystal orientation as cubic InN [110]//cubic GaN [110]. Photoluminescence emissions from the cubic and hexagonal InN films were clearly observed at around 0.7 eV.

• 埼玉大学地域共同研究センターの論文

著者

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 土方 泰斗

  埼玉大学工学部

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