一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価
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概要
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We have found that the EL5 and EL6 traps in bulk GaAs are consisted of six traps (A1,A2,A3,A4,A5,A6) from Constant-Capacitance Voltage Transient Spectroscopy (CCVTS) measurement. In this study, we analyze the EL3 and EL2 traps in bulk GaAs by CCVTS, two traps which corresponds to OX and ELO traps are separated from the wave analysis of EL3 and EL2,respectively. The wafers used in this study are not intentionally doped with Oxygen. We discuss the relationship between concentrations of OX and ELO concentration.
- 愛知工業大学の論文
著者
-
伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校電子情報工学科
-
池田 幸治
愛知工業大学工学研究科
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
伊藤 明
鈴鹿工業高等専門学校
-
徳田 豊
愛知工業大学
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