<論文>非定常光照射下での半導体中過剰少数キャリア分布の解析
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概要
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Partial differential cquations of excess minority carrier concentration in a semiconductor were solved with Green's function. The carriers were injected with light illumination and they recombines in a bulk region with a lifetime. In the parabolic partial differential equation for the carrier concentration, the term of carrier generation and the terms of boundary conditions are functions of time. The analyticaly obtained results include some components tht reflect the above terms. These results are possible to apply for the estimation of carrier lifetime of a biased-photodiode and a pn-junction that is damaged by ion-implantation.
- 鈴鹿工業高等専門学校の論文
- 2003-01-31
著者
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