<研究報告>半導体中の深い準位を検出するための一方法
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概要
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半導体中の深い準位を検出するための一方法が提案される。この方法は,pn接合に印加されるバイアス電圧の急激な変化に判ない接合容量が過渡的に変化するという現象に基づく。従来,接合容量の過渡的変化はダブルボックスカーやロックインアンプを用いて検出されている。我々が提案する方法はロックインアンプによる方法をさらに改善したものである。我々が提案した方法が中性子照射されたSi p^+nダイオードに適用される。
- 愛知工業大学の論文
- 1978-03-31
著者
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