水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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水素によるボロンの不活性化を用いて、p^+シリコンに欠陥評価用ショットキダイオードを作製することを試みた。試料を水素プラズマにさらすことにより、水素導入を行った。プラズマ照射は、基板温度室温から300℃の間で行った。その後、サマリウムを蒸着してダイオードを作製し、電流-電圧特性から整流特性が得られていることを確認した。これはボロンの水素による不活性化による表面領域でのキャリア濃度低下によると考えられる。キャリア濃度の低下は容量-電圧測定によるキャリア濃度分布の評価から確認された。また、プラズマ照射温度が高いほど、深くまでキャリア濃度は低下する。Deep-level transient spectroscopy(DLTS)の測定結果についても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
徳田 豊
愛知工業大学
-
浪崎 豊史
愛知工業大学工学部電子工学科
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