GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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共鳴トンネルダイオードのRF応用において、デバイスの寄生素子成分も含めたインピーダンス特性を適正に評価することは重要である。今回GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)を作製し、6GHzまでのインピーダンスの周波数特性の印加直流電圧依存性をオンウエハで実測した。また、TBRTDの等価回路解析をおこない、デバイスパラメータを可変抵抗特性、可変容量特性として評価した。
- 2004-01-23
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
福光 政和
東京都立大学大学院工学研究科
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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