水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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概要
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プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した.水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて, 低電圧付近での順・逆方向リーク電流の減少およびn-GaN中のドナー密度の減少が確認された.比較のため行ったアルゴンプラズマ照射においては, プラズマダメージによるダイオード特性の悪化やn-GaN中のドナー密度が減少することが確認された.これらの結果から, GaN表面においては表面欠陥が水素により不活性化され, 結晶内部においては水素ではなくプラズマ誘起欠陥がドナー不活性化に関与していると考えられる.しかしながら, 窒素プラズマ雰囲気においては同様の影響はほとんど確認されないことから, ドナー不活性化が窒素抜けに起因した真性点欠陥に関係していると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-18
著者
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
須田 将之
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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