ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
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概要
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Siウェーハ表面およびSOIウェーハ表面・界面の電気的特性をケルビン法と表面光起電力(SPV)法を用いて評価した。4.5%HFで水素終端したP-Si(100)ウェーハにおいて光電流密度1[mA/cm^2]のUV光(340nm)を照射したときに-0.4[V]のSPVが観測された。このことから、水素終端したp-Siウェーハの表面のエネルギーバンドは下方向に大きく曲がっていることが示した。また表面のバンド曲がりの値が0.4[eV]以上であることから、表面近傍で反転していることが分かった。一方n-Si(100)ウェーハでは60[mV]しか観測されなかった。この結果から、水素終端したSi(100)ウェーハの表面ではフェルミレベルが伝導帯側でピンニングされていることが分かった。また、非接触I-V測定の温度依存性からSOIウェーハのSOI/BOX界面の再結合割合を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
-
渡辺 大介
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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