ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価
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概要
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これまで、SOIウェーハ表面薄膜の電気特性評価を非接触、非破壊で行う手段が存在しなかった。そこで我々は、ウェーハの状態のままで評価する方法として、ケルビン法による接触電位差、表面光起電力法によるバンド曲がり量の測定の有効性を検討した。その結果、バルク結晶と同様に、SOIウェーハでも高い精度で測定できることがわかった。ケルビン法は試料表面の状態に対して非常に敏感であり、自乗平均粗さRmsの値が小さい程、接触電位差が大きくなる傾向が見られた。また、通常用いている電極を、金属コーティングした光ファイバとすることで、分解能の向上を試みた。
- 2000-07-21
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
江口 和良
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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