GaAs表層のプロセスダメージとショットキー特性
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概要
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デバイス作製プロセスの様々な場面において, 半導体表面は高いエネルギーをもった粒子にさらされる.その影響によって極表層(数nm-10nm), および場合によってはサブミクロン領域まで半導体の性質が変化する.ショットキーダイオード特性はこうした表層の性質によって非常に敏感に変化する.本報告ではGaAsを中心に, 極表層とサブミクロン領域に発生したプロセスダメージがショットキーダイオードに及ぼす影響を総合的に論じる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
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