奥村 次徳 | 東京都立大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大・電気
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須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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奥村 次徳
首都大学東京
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須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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奥村 次徳
東京都立大学
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冨岡 紘斗
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
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福光 政和
東京都立大学大学院工学研究科
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堀江 元
東京都立大学大学院工学研究科
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中村 成志
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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兼城 千波
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻:(現)北海道大学工学部量子界面エレクトロニクス研究センター
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直井 護
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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品田 唱秋
東京都立大学工学部電子・情報工学科
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井城 悠一
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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兼城 千波
北大
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船戸 裕樹
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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袁 愛民
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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岡山 政憲
東京都立大学電子・情報工学科
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岡山 政憲
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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直井 護
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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品田 唱秋
東京都立大学 工学部 電子・情報工学科
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井城 悠一
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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清水 暁人
首都大学東京大学院 工学研究科 電気工学専攻
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冨岡 紘斗
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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須田 将之
東京都立大学工学研究科電気工学専攻
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志村 美知子
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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江口 和良
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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大木 進
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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海部 宏昌
東京都立大学
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城川 潤二郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
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城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
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落合 俊輔
首都大学東京大学院理工学研究科
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星野 晃一
首都大学東京大学院理工学研究科
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岡本 庸一
防衛大機能材料
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守本 純
防衛大機能材料
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山本 伸一
東京都立大学大学院・工学研究科
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植木 絵理
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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松坂 則彦
首都大学東京大学院工学研究科電気工学専攻
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松浦 永悟
首都大学東京大学院工学研究科電気工学専攻
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植田 菜摘
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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中村 成志
首都大学東京
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徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
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徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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佐藤 義和
防衛大・材料
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河原 敏男
大阪大産研
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木村 顯継
防衛大 材料
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岡本 庸一
防衛大・材料
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守本 純
防衛大・材料
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河原 敏男
防衛大・材料
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木村 顯継
防衛大・材料
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二宮 誠
防衛大・材料
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宮川 浹
千葉工大・情報
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徳田 豊
愛知工業大学
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浪崎 豊史
愛知工業大学工学部電子工学科
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吉田 潔
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
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渡辺 大介
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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服部 哲夫
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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村上 亮
東京都立大学電子・情報工学科
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山本 伸一
東京都立大学大学院・工学研究科:松下電器
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Seifert Werner
ルンド大学固体物理学科
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牧野 直子
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
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市川 善隆
都立大
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市川 善隆
東京都立大学工学部電子情報工学科
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柴宮 信
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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Wernersson Lars-Erik
ルンド大学固体物理学科
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Seifert W
ルンド大学固体物理学科
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石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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林 才正
東京都立大学工学部
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本多 孝範
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
著作論文
- GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光陽極エッチング・めっき連続プロセスによる理想GaAsショットキー接触の形成
- 電気化学STMを用いたGaAs表面観察と局所加工
- 光陽極エッチング・めっき連続プロセスによるGaAsショットキー接触の形成
- C-10-10 テラヘルツ帯オンチップ自己補対アンテナの広帯域特性に対する半導体集積構造の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-4 GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- B-1-58 スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-10-9 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-4 高周波重畳したGaInP/GaAs三重障壁ダイオードの特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-1-142 ミリ波帯小型平面自己補対スパイラルアンテナの広帯域特性のサイズ依存性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- B-1-41 左手系伝送線路における漏れ波の周波数及び空間分離性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- P1-27 GaAs微粒子のマイクロフォン光音響スペクトル(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
- C-10-9 共鳴トンネルダイオードを用いた高周波アクティブインダクタの構成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 総論
- 総論
- 半導体への不純物ドーピング
- GaAs表層のプロセスダメージとショットキー特性
- ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
- SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定
- ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動
- C-2-47 インダクタンスと占有面積を一定とした平面型スパイラルインダクタにおける線幅変調効果の影響の理論解析(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- B-1-95 小型平面型ログスパイラルアンテナの広帯域特性の端部形状依存性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),通信1)
- 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析(学生研究会, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-46 薄膜スパイラルインダクタ諸特性に対するサイズ縮小効果の理論解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ケルビンフォース顕微鏡を用いたデバイス断面ポテンシャル観測のための一検討
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価
- C-10-2 共鳴トンネルダイオードの自励発振に関する数値解析
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価
- ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討
- ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価
- アルコール分子OH基の吸着によるポーラスシリコン赤色発光の可逆的消光I
- フタロシアニン分子配向膜の超高真空中における電気的・光学的性質
- フォトリフレクタンス法によるInGaP-HBTエミッタ/ベース界面の評価 : 光起電力効果の検討
- 低温成長MBEGaAs層の成長条件と深い準位 : 気相成長III
- ワイドギャップ半導体特集号によせて