中村 成志 | 首都大学東京

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概要

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関連著者

• 中村 成志

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 奥村 次徳

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 中村 成志

  首都大学東京

• 奥村 次徳

  首都大学東京

• 高橋 紀行

  首都大学東京

• 束原 肇

  首都大学東京

• 大園 智章

  首都大学東京

• 落合 俊輔

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 星野 晃一

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 奥村 次徳

  東京都立大学大学院工学研究科

• 福田 裕司

  首都大学東京

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻

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著作論文

• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
• Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討
• 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価

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