微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、寄生的な抵抗、インダクタンス、キャパシタンス成分は動作周波数の上限を定めるばかりではなくRTD出力に不要な緩和振動を生じる場合もある。本研究は、RTDを電源部分も含めた等価回路でモデリングし、安定化回路を付与することによって、この緩和振動を抑制可能な条件を理論的に明らかにすることを目的とした。特に、安定化回路にショットキーバリアダイオードを採用した場合と、抵抗を採用した場合とで緩和振動抑制条件にどのような違いがあるのかを考察した。また、緩和振動が定常的な動作点まで収束する緩和時間の長さについても考察を行った。
- 2010-06-10
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
板垣 陽介
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
浅川 澄人
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
新屋 秀秋
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
板垣 陽介
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
関連論文
- GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
- ナノ構造技術
- C-10-10 テラヘルツ帯オンチップ自己補対アンテナの広帯域特性に対する半導体集積構造の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-4 GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- B-1-58 スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-10-9 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes
- ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-4 高周波重畳したGaInP/GaAs三重障壁ダイオードの特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-1-142 ミリ波帯小型平面自己補対スパイラルアンテナの広帯域特性のサイズ依存性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- B-1-41 左手系伝送線路における漏れ波の周波数及び空間分離性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 (電子デバイス)
- 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
- ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング(センサデバイス,MEMS,一般)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードによる高温での位相コヒーレンス長評価の可能性
- C-10-9 共鳴トンネルダイオードを用いた高周波アクティブインダクタの構成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
- 高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたミリ波・サブミリ波帯におけるゼロバイアス検波の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 共鳴トンエルダイオードにおける自励振動抑制条件の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
- Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
- SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定
- ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- C-2-47 インダクタンスと占有面積を一定とした平面型スパイラルインダクタにおける線幅変調効果の影響の理論解析(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- B-1-95 小型平面型ログスパイラルアンテナの広帯域特性の端部形状依存性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),通信1)
- 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析(学生研究会, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-46 薄膜スパイラルインダクタ諸特性に対するサイズ縮小効果の理論解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ケルビンフォース顕微鏡を用いたデバイス断面ポテンシャル観測のための一検討
- GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価
- C-10-2 共鳴トンネルダイオードの自励発振に関する数値解析
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価
- ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討
- ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価
- 半導体ヘテロ接合に隣接した埋め込み微細金属による共鳴トンネル電流の制御
- 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
- 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
- OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
- OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
- OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
- AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
- AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
- 共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
- C-10-19 共鳴トンネルダイオードにおける自己バイアス効果を考慮した動特性解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 (電子デバイス)
- 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定 (電子デバイス)
- ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析 (電子デバイス)
- 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- アンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードの超高速変調動作の時間領域解析 (電子デバイス)
- 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析 (電子デバイス)
- 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析 (電子デバイス)
- B-1-128 ボウタイアンテナを用いたダイオード集積一体型レクテナのゼロバイアス検波効率に対するメサオフセット量の影響(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
- アンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードの超高速変調動作の時間領域解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析
- アンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードの超高速変調動作の時間領域解析
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価
- 半導体共鳴トンネルダイオードの超広帯域無線通信応用を目指した物理モデル構築とテラヘルツ帯動作解析のためのデバイスシミュレーションシナリオ(エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文)
- 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ED2012-105 テラヘルツ帯無線通信応用を目指した広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのモデリングと動作解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ帯ボウタイアンテナにおける等価定理を用いた放射電磁界推定法の検討(テラヘルツ応用,シミュレーション技術,一般)
- 半導体共鳴トンネルダイオードの超広帯域無線通信応用を目指した物理モデル構築とテラヘルツ帯動作解析のためのデバイスシミュレーションシナリオ