斉藤 光史 | 首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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浅川 澄人
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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板垣 陽介
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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前澤 宏一
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首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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前澤 宏一
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丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
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富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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丹保 豊和
富山大学理工学研究科
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丹保 豊和
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中村 昌人
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富山大 工
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龍山 智栄
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吉田 達雄
富山大学工学部
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長島 恭兵
富山大学工学部
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富山大学工学部
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富山大学工学部
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富山大学工学部
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富山大学工学部
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丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
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倉上 祐司
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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須原 理彦
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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藤田 昌成
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたミリ波・サブミリ波帯におけるゼロバイアス検波の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 共鳴トンエルダイオードにおける自励振動抑制条件の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-10-19 共鳴トンネルダイオードにおける自己バイアス効果を考慮した動特性解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析 (電子デバイス)
- B-1-128 ボウタイアンテナを用いたダイオード集積一体型レクテナのゼロバイアス検波効率に対するメサオフセット量の影響(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
- アンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードの超高速変調動作の時間領域解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)