新屋 秀秋 | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

スポンサーリンク

概要

• 新屋 秀秋の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻の論文著者

関連著者

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 浅川 澄人

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 新屋 秀秋

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 斉藤 光史

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 板垣 陽介

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 斉藤 光史

  首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 斉藤 光史

  首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 板垣 陽介

  首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 高萩 智

  首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻

• 高萩 智

  首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 高萩 智

  首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻

もっと見る 閉じる

著作論文

• 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 (電子デバイス)
• 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング(センサデバイス,MEMS,一般)
• C-10-3 共鳴トンエルダイオードにおける自励振動抑制条件の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-19 共鳴トンネルダイオードにおける自己バイアス効果を考慮した動特性解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)

スポンサーリンク